特許

J-GLOBAL ID：200903070964719164

ホトレジスト及び有機及び無機腐食残留物を室温で除去するフッ化物及び有機極性溶媒を含有する低表面張力、低粘度、水性、酸性組成物

発明者： ペータース、デリル ダブリュ ,  ワード、アイル イー
出願人/特許権者： アシュランド インコーポレーテッド
代理人 (1件)： ウオーレン・ジー・シミオール
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-596112
公開番号（公開出願番号）：特表2002-535732
出願日： 2000年01月04日
公開日（公表日）： 2002年10月22日
要約：

【要約】【課題】 ホトレジスト及び有機及び無機残留物の除去に有用な組成物、並びにホトレジスト及び腐食残留物の除去方法を提供することである。【解決手段】 その組成物は、フッ化物及び有機極性溶媒を含有する水性、酸性組成物である。その組成物はグリコールを含まず、低表面張力及び低粘度を有する。腐食抑制剤は任意に存在する。

請求項（抜粋）：

本質的に、次の成分(a)〜(d)の混合物から成り、3〜6のpHを有し、グリコールを含まないことを特徴とする低表面張力、低粘度、水性組成物: (a) 酸性緩衝溶液; (b) 水と全ての割合で混ざる極性有機溶媒; (c) フッ化物;及び (d) 水。

IPC (8件)：

G03F 7/42 ,  C11D 7/04 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/50 ,  C11D 9/60 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 647

FI (8件)：

G03F 7/42 ,  C11D 7/04 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/50 ,  C11D 9/60 ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (13件)：

2H096AA25 ,  2H096LA03 ,  4H003DA15 ,  4H003EA05 ,  4H003EA18 ,  4H003EB07 ,  4H003EB08 ,  4H003ED02 ,  4H003ED31 ,  4H003FA15 ,  4H003FA29 ,  4H003FA30 ,  5F046MA02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-211217   出願人：株式会社日立製作所, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 三菱瓦斯化学株式会社
• レジスト用剥離液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-179872   出願人：東京応化工業株式会社