特許
J-GLOBAL ID：200903070968723069
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-344935
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189956
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】IGBTのRBSOAを拡大する。【解決手段】nバッファ層と高抵抗n- 層との間にn層より不純物濃度が低くかつn- 層よりも不純物濃度が高い第2のn- 層を設ける。【効果】第2のn- 層の残留キャリアにより電流変化率が小さくなり、はね上がり電圧が抑制されるため、RBSOAが拡大する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1の半導体層と、前記、第1の半導体層上に形成された第2導電型の第2の半導体層と、前記、第2の半導体層上に形成され、第2の半導体層より不純物濃度が低い第2導電型の第3の半導体層と、前記、第3の半導体層上に形成され、第2の半導体層より不純物濃度が低くかつ前記第3の半導体層より不純物濃度が低い第2導電型の第4の半導体層と、前記、第4の半導体層内に複数個形成された第1導電型の第5の半導体層と、前記、第5の半導体層内に形成された第2導電型の第6の半導体層と、前記、第1の半導体層とオーミック接触する第1の主電極と、前記、第5の半導体層と前記第6の半導体層にオーミック接触する第2の主電極と、前記、第4,5及び6に半導体層上に形成された絶縁膜と前記絶縁膜上に形成された制御電極を有する半導体装置において前記第3の半導体層と第4の半導体層のライフタイムがほぼ等しいことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 655 B
, H01L 29/78 652 H
, H01L 29/78 658 H
