特許
J-GLOBAL ID：200903070971265624
エピタキシャル成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-043732
公開番号（公開出願番号）：特開平5-238880
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月17日
要約：
【要約】【目的】 マスクレスで基板上の所定領域のみにゲルマニウムないしゲルマニウム混晶領域を形成しうるSi基板上へのGe系半導体の選択エピタキシャル成長方法に関し、従来開発されてきたMBEおよびCVD法の長所を取込みながら、マスクレスでSi下地結晶上の所定領域にのみ高品位のGe層ないしSi1-x Gex 混晶層を選択的にエピタキシャル成長させることのできる技術を提供することを目的とする。【構成】 水素化シリコンを含むガスを成長室内に導入して基板上にSi層をエピタキシャル成長させる第1の工程と、次いで、シリコンを含むガスを成長室内から強制排気した後、基板上の所定領域のみにエネルギ線を照射する第2の工程と、次いで、水素化ゲルマニウムまたはゲルマニウム有機化合物を含むガスを成長室内に導入して上記エネルギ線照射領域のみにGe層を選択的にエピタキシャル成長させる第3の工程と、次いで、ゲルマニウムを含むガスを成長室内から排出する第4の工程とを含む。
請求項（抜粋）：
水素化シリコンを含むガスを成長室(1)内に導入して基板上にSi層をエピタキシャル成長させる第1の工程と、次いで、シリコンを含むガスを成長室(1)内から強制排気した後、基板上の所定領域のみにエネルギ線を照射する第2の工程と、次いで、水素化ゲルマニウムまたはゲルマニウム有機化合物を含むガスを成長室(1)内に導入して上記エネルギ線照射領域のみにGe層を選択的にエピタキシャル成長させる第3の工程と、次いで、ゲルマニウムを含むガスを成長室(1)内から排出する第4の工程とを含むことを特徴とするエピタキシャル成長方法。
IPC (3件)：
C30B 25/02
, C30B 29/68
, H01L 21/205
