投影露光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森岡正樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-079097
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256148
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】本発明は、半導体装置あるいは液晶表示装置の製造におけるフォトリソグラフィ工程で使用される投影露光装置に関し、転写されるべきレチクルのパターンの像が像面湾曲を生じていても、転写誤差を極力抑えた高精度の投影露光が行える投影露光装置を提供することを目的とする。【解決手段】レチクル3のパターンを基板ステージ12上に載置された感光基板11上に露光する投影光学系2を備えた投影露光装置において、投影光学系2の結像面の形状を測定する形状測定手段20と、基板ステージ12に載置された感光基板11の形状を変形させる基板変形手段16、21、24、26、28、30と、結像面と感光基板11の露光領域表面とがほぼ一致するように形状測定手段20の測定結果に基づいて基板変形手段を制御する制御手段10とを備えるように構成する。

請求項（抜粋）：

レチクルのパターンを基板ステージ上に載置された感光基板上に露光する投影光学系を備えた投影露光装置において、前記投影光学系の結像面の形状を測定する形状測定手段と、前記基板ステージに載置された前記感光基板の形状を変形させる基板変形手段と、前記結像面と前記感光基板の露光領域表面とがほぼ一致するように前記形状測定手段の測定結果に基づいて前記基板変形手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とする投影露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 516 Z , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 515 G

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