特許
J-GLOBAL ID：200903070973281058
薄膜形成装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-189500
公開番号（公開出願番号）：特開平8-158046
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1996年06月18日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、膜の付着力を向上させるとともに、膜厚の均一性を向上させ、また基材の温度上昇を防止することを目的とするものである。【解決手段】 絶縁性のベルト21によりモータ19と基材ホルダ13とを連結し、かつ絶縁部材16,23,25を介して基材ホルダ13,金属ビーム源22及びガスイオン源24をそれぞれ真空槽11に取り付けることにより、基材6を回転させつつ、基材ホルダ13,金属ビーム源22及びガスイオン源24にそれぞれバイアス電圧を印加するようにした。また、基材ホルダ13内には、冷媒を循環させるための冷却配管17を配置した。
請求項（抜粋）：
真空槽と、この真空槽にホルダ用絶縁部材を介して回転可能に取り付けられ、基材を保持する基材ホルダと、絶縁性連結部材を介して上記基材ホルダに連結され、上記基材ホルダを回転させる回転駆動手段と、上記基材ホルダ上の基材に対向するようにビーム源用絶縁部材を介して上記真空槽に取り付けられている金属ビーム源と、上記基材ホルダ上の基材に対向するようにイオン源用絶縁部材を介して上記真空槽に取り付けられているガスイオン源と、上記基材ホルダ,上記金属ビーム源及び上記ガスイオン源にそれぞれバイアス電圧を印加するバイアス電源とを備えていることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (3件)：
C23C 14/32
, H01L 21/203
, H01L 21/31
