特許
J-GLOBAL ID：200903070974816001
露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣 (外1名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999002268
公開番号（公開出願番号）：WO1999-056308
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月04日
要約：
【要約】既に複数のパターン層が形成された基板上へのマスクパターンの転写を精確かつ迅速に行う露光装置及びその露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法。ウエハWのストリートライン上にゲート電極層LgのウエハマークWM1(または代用ウエハマークWM1’)と第2層間絶縁層Li2のウエハマークWM2とを形成する。このとき、ウエハマークWM1、WM2のマークバーWMnm(n=1,2、m=1〜4)が交互に配置され、合成マークが形成される。そして、合成マークをアライメント系にて一括して読取検出し、その検出結果に基づいて、各ウエハマークWM1、WM2の位置情報を算出する。そして、算出された位置情報に基づいて、レチクル上の回路パターンとウエハ上のショット領域SAnとのアライメントを行う。
請求項（抜粋）：
既に複数の層のパターンが形成された基板上のアライメントマークを構成するマークパターンの位置情報を検出するマーク位置検出機構を備え、そのマーク位置検出機構の検出結果に基づいて、マスク上に形成されたパターンを、前記複数の層にそれぞれ形成されたパターンの少なくとも1つに重ね合わせて転写する露光装置において、 前記マーク位置検出機構は、前記基板上の複数の層にわたって形成された前記アライメントマークを一括して検出する一括検出機構を備え、その一括検出機構の検出結果に基づいて前記マスク上のパターンと前記基板上の所定の露光領域とのアライメントを行うようにした露光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 M
, G03F 9/00 H
