特許
J-GLOBAL ID:200903070983204949
ヒートシンク付セラミック回路基板及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (7件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 青山 正和
, 江口 昭彦
, 杉浦 秀幸
, 村山 靖彦
, 柳井 則子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-315925
公開番号(公開出願番号):特開2004-152972
出願日: 2002年10月30日
公開日(公表日): 2004年05月27日
要約:
【課題】熱サイクル寿命を延し、またヒートシンクの放熱特性を良好に保つ。【解決手段】セラミック基板13の両面には第1及び第2アルミニウム合金板21、22がAl系の第1及び第2ろう材層11、12を介してそれぞれ積層接着され、第1又は第2アルミニウム合金板21、22にはヒートシンク45が積層接着される。ヒートシンク45は、銅合金板16と、この銅合金板16の一方の面に形成されたシリカコーティング層46と、このシリカコーティング層46に第3ろう材層43を介して積層接着された第3アルミニウム合金板54とにより構成され、この第3アルミニウム合金板54は第4ろう材層44を介して第1又は第2アルミニウム合金板21、22に直接積層接着される。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
セラミック基板(13)と、前記セラミック基板(13)の両面にAl系の第1及び第2ろう材層(11、12)を介してそれぞれ積層接着された第1及び第2アルミニウム合金板(21、22)と、前記第1又は第2アルミニウム合金板(21、22)に積層接着されたヒートシンク(45)とを備えたヒートシンク付セラミック回路基板において、前記ヒートシンク(45)が、銅合金板(16)と、この銅合金板(16)の少なくとも一方の面に形成されたシリカコーティング層(46)と、前記シリカコーティング層(46)にAl系の第3ろう材層(43)を介して積層接着された第3アルミニウム合金板(54)とにより構成され、前記第3アルミニウム合金板(54)が前記第1又は第2アルミニウム合金板(21、22)にAl系の第4ろう材層(44)を介して積層接着されたことを特徴とするヒートシンク付セラミック回路基板。
IPC (6件):
H01L23/36
, B23K1/20
, B23K31/02
, B23K35/28
, H01L23/12
, H01L23/13
FI (7件):
H01L23/36 C
, B23K1/20 C
, B23K1/20 E
, B23K31/02 310J
, B23K35/28 310B
, H01L23/12 J
, H01L23/12 C
Fターム (7件):
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB01
, 5F036BB08
, 5F036BB21
, 5F036BC06
, 5F036BD01
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