半導体装置及び半導体演算装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-040489
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246487
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】記憶素子として十分な機能を有することに加え、分極ベクトルの変化を惹起することなく正確な差分(絶対)演算を実行することを可能とし、低消費電力で駆動するMFMISFET型の半導体装置及び半導体演算装置を提供する。【解決手段】本発明のMFMISFETでは、コントロールゲート8に、当該コントロールゲート8と信号線9との間の接続をオン/オフするスイッチ10が配されている。コントロールゲート8に所定の電位を与えた状態で、スイッチ10をオフ状態とすることにより、コントロールゲート8は電気的にフローティング状態となり、その後にコントロールゲート6に印加される電圧の影響を受けることなく、電荷蓄積膜7の分極状態は変化しない。

請求項（抜粋）：

ソース/ドレインと、前記ソース/ドレインと第1の絶縁膜を介して設けられた電気的にフローティング状態にある第1の電極と、前記第1の電極の一部位上に設けられた強誘電体材料を含まない第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜を介して前記前記第1の電極の前記一部位と対向するように設けられた第2の電極と、前記第1の電極の他部位上に設けられた強誘電体材料を含む少なくとも1層の膜を有する第3の絶縁膜と、前記第3の絶縁膜を介して前記第1の電極の前記他部位と対向するように設けられた第3の電極と、前記第3の電極と接続され、当該第3の電極と所定の信号線との間の接続をオン/オフする切替スイッチとを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 11/22 503 , G11C 16/04 , G11C 16/02 , H01L 27/105

FI (6件)：

G11C 11/22 503 , H01L 29/78 371 , G11C 17/00 621 Z , G11C 17/00 622 Z , G11C 17/00 641 , H01L 27/10 444 A

Fターム (14件)：

5B025AA02 , 5B025AA07 , 5B025AC02 , 5B025AE06 , 5F083EP03 , 5F083EP22 , 5F083FR07 , 5F083GA05 , 5F101BA02 , 5F101BA12 , 5F101BA62 , 5F101BB02 , 5F101BD20 , 5F101BD33

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