セラミック半導体容器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318277
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226508
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】セラミック半導体容器の内部電極上及び封止リング上へのメッキ金属膜厚を独立に変化させる、あるいはメッキ金属材質を個別に設定可能とする事を目的とする。【構成】セラミック基板1上の各内部電極2に接続しているビア・ホール4及び内部メタライズ配線5を電極メッキ引出し線11によってセラミック側面迄引き出し、電源・信号ピンメッキ用電極14で短絡させる構造と、封止リング8に接続しているビア・ホール4及び内部メタライズ配線5を、封止リングメッキ引出し線12によってセラミック側面迄引き出し、封止リングメッキ用電極13に接続する構造とを有し、各メッキ用電極は互いに電気的に絶縁されている構造を備えており、それぞれ独立にメッキする事が可能となる。

請求項（抜粋）：

複数層の配線パターンを有し、異なる層の任意の配線パターン間が導電性ビア・ホールで接続されているセラミック基板と該セラミック基板に接着されて素子を封止する封止リングとを有するセラミック半導体容器において、前記配線パターンに接続しているビア・ホール及び前記配線パターンを電極メッキ引出し線によって前記セラミック基板の側面迄引き出し、この各電極メッキ引出し線を電源・信号ピンメッキ用電極にて電気的に短絡させる構造と、前記封止リングに接続している前記ビア・ホール及び前記配線パターンを、封止リングメッキ引出し線によって前記セラミック基板の側面迄引き出し、その部位に封止リングメッキ用電極を設ける構造と、前記電源・信号ピンメッキ用電極と前記封止リングメッキ用電極とは互いに電気的絶縁が保たれる構造とを有することを特徴とするセラミック半導体容器。

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