特許

J-GLOBAL ID：200903070996778456

半導体レーザ装置

発明者： 大畑 豊治 ,  小川 正道 ,  根本 和彦 ,  森 芳文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-230548
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037395
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 劈開により形成される半導体レーザ装置と同程度の光出力-電流特性を有し、半導体基体の表面に対して正確に垂直方向に収差、ケラレのない光を取り出すことができて、2次元集積化が可能な面発光型の半導体レーザ装置を提供する。【構成】 半導体基板1上に、少なくとも第1伝導型のクラッド層2と、活性層3と、第2伝導型のクラッド層4とを有して成り、垂直エッチングで形成された共振器端面11A及び11Bに対向して、半導体基板1の主面に対しほぼ45°の角度を成す結晶成長面を反射鏡面12A及び12Bとして構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、少なくとも第1伝導型のクラッド層と、活性層と、第2伝導型のクラッド層とを有して成り、垂直エッチングで形成された共振器端面に対向して、上記半導体基板の主面に対しほぼ45°の角度を成す結晶成長面が反射鏡面とされて成ることを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭52-128088
  
• 特開昭52-154393
  
• 特開平2-130983