特許
J-GLOBAL ID：200903070997351928
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227144
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067849
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】 優れた特性を有し、再現性が良く高い歩留りと生産性を得る。【構成】 メサストライプ13が形成されたP型InP基板1上に、第1のエピタキシャル成長によりN型InPブロック層2とP型InPバッファ層3とInGaAsP活性層4とN型InPクラッド層5を積層し、InGaAsP活性層4とN型InPクラッド層5を選択的に除去し、第2のエピタキシャル成長によりP型InP埋め込み層6とN型InP電流阻止層7とP型InP電流阻止層8とN型InP埋め込み層9を成長させ、最後にN側電極10とP側電極11を形成している。N型InPブロック層2とP型InP埋め込み層6とN型InP電流阻止層7とP型InP電流阻止層8は、二相融液法で選択的に成長できるため厳密に過飽和度を制御する必要がない。電流阻止領域14はInGaAsP活性層4を含めたPNPQN構造の高いON電圧のサイリスタを有する。
請求項（抜粋）：
所定の幅と高さのメサストライプが形成された一導電型の半導体基板と、前記メサストライプ上部を除く半導体基板上に形成された他導電型の第1の半導体層と、この第1の半導体層および前記メサストライプ上に形成された一導電型の第2の半導体層と、この第2の半導体層上に選択的に形成された活性層となる第3の半導体層と、この第3の半導体層上に形成された他導電型の第4の半導体層と、前記第3の半導体層および第4の半導体層の形成領域を除く第2の半導体層上に形成された一導電型の第5の半導体層と、この第5の半導体層上に形成された他導電型の第6の半導体層と、この第6の半導体層上に形成された一導電型の第7の半導体層と、この第7の半導体層および前記第4の半導体層上に形成された他導電型の第8の半導体層とを備えた半導体発光素子。
IPC (2件)：
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