特許

J-GLOBAL ID：200903070999523572

酸化物超電導構造体の製造方法

発明者： 山田 容士 ,  三浦 忠将 ,  須賀 俊裕 ,  荒木 猛司 ,  前田 敏彦 ,  鵜木 博海 ,  平林 泉
出願人/特許権者： 中部電力株式会社 ,  財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  株式会社東芝 ,  古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 飯田 昭夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-294251
公開番号（公開出願番号）：特開2002-104900
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：

【要約】【課題】 基板上に種結晶膜を介して液相エピキタシャル法(LPE法)により123型酸化物超電導結晶膜が形成されてなる酸化物超電導構造体において、結晶膜形成に際して制御が容易な(制御幅が広い)種結晶膜を備えたものを提供すること。【解決手段】 Ln-A-M-O(Lnは、Y,La,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Yb又はLuを表し、AはBa又はSrを表し、MはFe,Ni又はMoを表す。)より構成される酸化物層(種膜)12を形成した基板14を用いて、その上にLn'1Ba2 Cu3 O7-a 型(Ln' は、Y,La,Nd,Sm,Eu,Dd,Tb,Dy,Ho,Er,Yb又はLuを表す。)の結晶構造を有する酸化物超電導膜16を溶液成長法を用いて形成する。

請求項（抜粋）：

Ln-A-M-O(Lnは、Y,La,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Yb又はLuを表し、AはBa又はSrを表し、MはFe,Ni又はMoを表す。)より構成される酸化物層を形成した基板を用いて、その上にLn'1Ba2 Cu3 O7-a 型(Ln' は、Y,La,Nd,Sm,Eu,Dd,Tb,Dy,Ho,Er,Yb又はLuを表す。)の結晶構造を有する酸化物超電導結晶膜を溶液成長法(LPE法)を用いて形成することを特徴とする酸化物超電導構造体の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/22 501 ,  C30B 29/22 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA

FI (5件)：

C30B 29/22 501 C ,  C30B 29/22 501 K ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/24 ZAA B

Fターム (27件)：

4G077AA03 ,  4G077BC52 ,  4G077CG07 ,  4G077DB08 ,  4G077EC08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA08 ,  4M113AD35 ,  4M113AD36 ,  4M113AD37 ,  4M113AD39 ,  4M113AD68 ,  4M113BA04 ,  4M113BA11 ,  4M113BA18 ,  4M113BA23 ,  4M113BA29 ,  4M113CA34 ,  5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321CA04 ,  5G321CA21 ,  5G321CA27 ,  5G321CA28 ,  5G321DB21 ,  5G321DB22