特許
J-GLOBAL ID：200903071001938878

半導体装置

発明者：
三宅 博之

三宅 博之 について

, 
塩野入 豊

塩野入 豊 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-221125
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179479
出願日： 2002年07月30日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 単極性のTFTによって構成することが出来、かつ負荷駆動能力の大きい回路を提供する。【解決手段】 TFT152のゲート電極と出力電極間に設けられた容量154は、ブートストラップによってTFT152のゲート電極の電位を上昇させ、入力信号に対してTFTのしきい値による出力信号の振幅減衰を生ずることのない正常な出力を得る。さらにTFT153のゲート電極と出力電極との間に設けられた容量155が、TFT152のゲート電極の電位上昇を補助し、より大きな負荷駆動能力を得る。
請求項（抜粋）：
入力端が第1の電源と電気的に接続された第1および第2のトランジスタと、入力端が第2の電源と電気的に接続された第3および第4のトランジスタと、出力端が前記第1および第2のトランジスタのゲート電極と電気的に接続された第5のトランジスタと、前記第5のトランジスタの出力端と前記第1のトランジスタの出力端との間に電気的に接続された容量手段とを有する電圧補償回路と、前記第3および第4のトランジスタのゲート電極に第1の信号を入力する第1の信号入力部と、前記第5のトランジスタの入力端に第2の信号を入力する第2の信号入力部と、信号出力部とを有し、前記第1乃至第5のトランジスタはいずれも同一導電型であり、前記第1のトランジスタの出力端と、前記第3のトランジスタの出力端とは電気的に接続され、前記第2のトランジスタの出力端と、前記第4のトランジスタの出力端と、前記信号出力部とは電気的に接続され、前記第5のトランジスタのゲート電極は、前記第1の電源もしくは、第3の電源と電気的に接続され、前記電圧補償回路は、前記信号出力部より出力される信号の振幅減衰を補償することを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H03K 19/0175 ,  G09G 3/20 611 ,  G09G 3/20 621 ,  G09G 3/20 622 ,  G09G 3/20 623 ,  G09G 3/20 ,  G09G 3/30 ,  G09G 3/36 ,  G11C 19/00 ,  H05B 33/14
FI (10件)：
G09G 3/20 611 J ,  G09G 3/20 621 L ,  G09G 3/20 622 E ,  G09G 3/20 623 B ,  G09G 3/20 623 H ,  G09G 3/30 J ,  G09G 3/36 ,  G11C 19/00 J ,  H05B 33/14 A ,  H03K 19/00 101 F
Fターム (45件)：
3K007DA05 ,  3K007DB03 ,  3K007GA01 ,  5C006AF50 ,  5C006BB16 ,  5C006BC03 ,  5C006BC11 ,  5C006BF03 ,  5C006BF25 ,  5C006BF26 ,  5C006BF27 ,  5C006BF34 ,  5C006BF37 ,  5C006BF46 ,  5C006BF50 ,  5C006EB05 ,  5C006FA41 ,  5C006FA51 ,  5C080AA06 ,  5C080AA10 ,  5C080BB05 ,  5C080DD22 ,  5C080DD27 ,  5C080FF11 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04 ,  5C080JJ06 ,  5C080KK02 ,  5C080KK07 ,  5C080KK43 ,  5C080KK47 ,  5J056AA04 ,  5J056BB12 ,  5J056CC18 ,  5J056CC21 ,  5J056CC29 ,  5J056DD26 ,  5J056DD27 ,  5J056DD51 ,  5J056EE11 ,  5J056FF08 ,  5J056GG09 ,  5J056KK01 ,  5J056KK02
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 特開昭59-016424
  • 特開昭60-140924

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