特許
J-GLOBAL ID：200903071002200945
水素吸蔵合金電極の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-201505
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050306
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】SBRを用いた水素吸蔵合金電極の電気抵抗や電池反応抵抗を低減しつつ、その水素吸蔵合金粉末の崩落を抑止可能な水素吸蔵合金電極の製造法を提供する。【解決手段】水素吸蔵合金粉末と、結着材としてのスチレン-ブタジエン系ラテックスと、水とを混練りしてペーストを形成し、前記ペーストを集電体をなす金属板の両側に被着した後、乾燥し、加圧して形成する水素吸蔵合金電極の製造方法において、前記スチレン-ブタジエン系ラテックスのガラス転移温度をは-25〜-40°Cとする。このようにすれば、水素吸蔵合金電極の電気抵抗や電池反応抵抗を低減しつつ、その水素吸蔵合金粉末の崩落を抑止することができる。
請求項（抜粋）：
水素吸蔵合金粉末をスチレン-ブタジエン系ラテックス及び水と混練りしてペーストを形成し、前記ペーストを集電体に被着した後、乾燥し、加圧して形成する水素吸蔵合金電極の製造方法において、前記スチレン-ブタジエン系ラテックスは-25〜-40°Cのガラス転移温度をもつことを特徴とする水素吸蔵合金電極の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M 4/26 J
, H01M 4/62 C
