特許
J-GLOBAL ID:200903071014792376

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 竹村 壽
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-101911
公開番号(公開出願番号):特開平6-291225
出願日: 1993年04月05日
公開日(公表日): 1994年10月18日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 消費電力が大きく発熱性の高い半導体素子(発熱素子)の冷却体などを利用して、消費電力がそれほど大きくない半導体素子の放熱性を向上させた半導体装置を提供する。【構成】 回路基板15に搭載されたCPUのような消費電力の大きい発熱素子11にヒートシンク13を取付ける。CPUなどの発熱素子より消費電力の小さいメモリなどの半導体素子12には、熱伝導率の高い部材で構成された熱伝導補助体14を取付け、この熱伝導補助体14の他端をヒートシンク13などに接続して、その放熱性を利用する。この補助体14は、発熱素子11より空気の流れ16の風下にある半導体素子12や、発熱素子11の周辺に配置された放熱効率の低い領域上の半導体素子に取付けると放熱効率が向上する。
請求項(抜粋):
回路基板と、前記回路基板に搭載され、少なくとも1つの所定の消費電力の半導体素子と、前記所定の消費電力の半導体素子に取付けられたヒートシンクと、前記回路基板に搭載され、前記所定の消費電力の半導体素子より消費電力の小さい半導体素子と、熱伝導率の高い部材で構成された熱伝導補助体とを備え、前記消費電力の小さい半導体素子は前記回路基板に複数個搭載されており、前記熱伝導補助体の一端は、前記回路基板の放熱効率の低い領域に配置されている前記消費電力の小さい半導体素子に取付けられ、かつ、その他端は、前記ヒートシンクに接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/36 ,  H01L 23/467
FI (2件):
H01L 23/36 D ,  H01L 23/46 C

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