特許
J-GLOBAL ID：200903071019948080
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-233146
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008412
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【課題】 島状部の側面の側壁が電極材料で被覆されない事態が発生し、発光ドットごとの発光強度や発光パターンのばらつきが発生するという問題があった。【解決手段】 基板1上に、バッファ層2と第1のオーミックコンタクト層3を島状に形成し、この第1のオーミックコンタクト層3上に、この第1のオーミックコンタクト層3の一部が露出するように、第1のクラッド層4、発光層5、第2のクラッド層6、及び第2のオーミックコンタクト層7を順次積層して形成し、上記第1のオーミックコンタクト層3の露出部から上記基板1上にかけて第1の電極10を形成し、上記第2のオーミックコンタクト層7から前記基板1上にかけて第2の電極9を形成した半導体発光素子であって、上記第1のオーミックコンタクト層3の露出部と対向する部分が前記第1のクラッド層4、発光層5、第2のクラッド層6、及び第2のオーミックコンタクト層7よりも幅広となるように形成し、この幅広部分の側壁部が被覆されるように前記第2の電極9を形成した。
請求項（抜粋）：
基板上に、バッファ層と第1のオーミックコンタクト層を島状に形成し、この第1のオーミックコンタクト層上に、この第1のオーミックコンタクト層の一部が露出するように、第1のクラッド層、発光層、第2のクラッド層、及び第2のオーミックコンタクト層を順次積層して形成し、前記第1のオーミックコンタクト層の露出部から前記基板上にかけて第1の電極を形成し、前記第2のオーミックコンタクト層から前記基板上にかけて第2の電極を形成した半導体発光素子において、前記第1のオーミックコンタクト層の露出部と対向する部分が前記第1のクラッド層、発光層、第2のクラッド層、及び第2のオーミックコンタクト層よりも幅広となるように形成し、この幅広部分の側壁部が被覆されるように前記第2の電極を形成したことを特徴とする半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 A
