特許

J-GLOBAL ID：200903071027990525

半導体処理装置

発明者： 村上 公一 ,  吉田 卓
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  株式会社九州富士通エレクトロニクス
代理人 (1件)： 青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-188177
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037006
出願日： 1992年07月15日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 本発明は半導体処理装置に関し、ウェハ表面の雰囲気にN2 ガス気流の影響を与えることなく、ウェハ表面の雰囲気を高温で安定させ、ウェハ表面の放熱量を少なくしてウェハ表面の膜厚を均一に処理することができる半導体処理装置を実現することを目的とする。【構成】 ウェハ22の外側にウェハ表面の雰囲気に影響を与えることなく、N2 ガスを供給できる穴16を等間隔に有し、且つ該ウェハの下部に温度制御可能な下部熱板10と、該ウェハの上部に平行に位置し温度制御可能な上部熱板13とを具備して成るように構成する。

請求項（抜粋）：

ウェハ(22)の外側にウェハ表面の雰囲気に影響を与えることなく、N2 ガスを供給できる穴(16)を等間隔に有し、且つ該ウェハの下部に温度制御可能な下部熱板(10)と、該ウェハの上部に平行に位置し温度制御可能な上部熱板(13)とを具備して成ることを特徴とする半導体処理装置。