特許

J-GLOBAL ID：200903071038240560

薄膜形成方法および装置

発明者： 安藤 謙二 ,  鈴木 康之 ,  枇榔 竜二
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242188
公開番号（公開出願番号）：特開平7-070749
出願日： 1993年09月03日
公開日（公表日）： 1995年03月14日
要約：

【要約】【目的】 形成される薄膜の光学特性や成膜速度を長期的に安定化させる。また基板の材料を限定する必要なしに良好な薄膜が得られるようにする。さらに、簡便化、生産性や信頼性の向上等を図る。【構成】 真空室1内においてスパッタリングにより薄膜を形成する方法において、成膜中の真空室内のH2 O分圧が所定値となるように制御する。あるいは、真空室内で、プラズマを発生させ、これを利用して酸化物薄膜を形成する方法において、薄膜形成時には、前記真空室内にH2 O、H2 O2 もしくはそれらの混合物を強制的に供給し、かつ前記真空室内に設けた任意の数の放電電極に30〜300メガヘルツの高周波電力を印加する。

請求項（抜粋）：

真空室内においてスパッタリングにより薄膜を形成する方法において、成膜中の真空室内のH2 O分圧が所定値となるように制御することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/54 ,  G02B 1/11

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-112112
  
• 特開平4-242017
  
• 特開昭60-059607