特許

J-GLOBAL ID：200903071038355538

ウィスカ防止方法及びその装置

発明者： 牧 啓仁 ,  中川 大輔
出願人/特許権者： 澁谷工業株式会社
代理人 (1件)： 神崎 真一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-112672
公開番号（公開出願番号）：特開2006-291276
出願日： 2005年04月08日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【解決手段】 表面に錫メッキの施された金属端子に対してレーザ光を照射して、錫メッキの表層だけを溶融させて、ウィスカの発生を防止するウィスカ防止方法であり、レーザ光Lのパワー密度が150W/mm2の時に搬送速度を1.7〜50mm/secとし、パワー密度が1800W/mm2の時に搬送速度を1300mm/secとする範囲内であれば、良好にウィスカの発生を防止できる。【効果】 効率的にウィスカの発生を防止することができる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

物品の表面に施された錫メッキの表層にレーザ光を照射して、上記錫メッキ表面でのウィスカの発生を防止するウィスカ防止方法において、 照射位置におけるパワー密度が150〜1800W/mm2のレーザ光を、上記物品に対して1.7〜1300mm/secで相対移動させながら照射することを特徴とするウィスカ防止方法。

IPC (2件)：

C25D 5/48 ,  C25D 7/00

FI (2件)：

C25D5/48 ,  C25D7/00 H

Fターム (4件)：

4K024AA07 ,  4K024BB10 ,  4K024DB01 ,  4K024GA16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開昭59-143089号公報
  

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-143089
  
• スズめつき端子の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平2-148682   出願人：矢崎総業株式会社
• 特開昭59-129799
  
• 特開昭55-148793