特許

J-GLOBAL ID：200903071047040728

ガラス基板上に金属パターンを無電解法で設ける方法

発明者： アンドレアス マルチヌス テオドラス パウルス ファン デル プッテン ,  ニコラス ペトルス ウイラード ,  ランベルタス ヘリット ヤン ホッキンク ,  イフォ ホドフリード ヨセフ カンプス
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-157166
公開番号（公開出願番号）：特開平6-088243
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】 ホトレジスト層および有機溶媒を用いることなく、比較的小数の処理工程よりなる無電解法で金属パターンをガラス基板上に設ける方法を得る。【構成】 ガラス基板をシラン層(3)で変性し、この層をレーザーまたは紫外線オゾン処理で局部的に除去し、残留したシラン層を重合体安定化Pd ゾル中で選択的に核形成することにより金属パターン(15)を無電解法でガラス基板(1)上に設ける。ホトレジストおよび有機溶媒を使用しない。この方法はLCD用受動板上または平坦陰極線管のような他の平坦カラーディスプレーのパネルに黒色マトリックスを製造するのに極めて適する。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上にシラン層を設け、次いでこの層をパターンに従って化学線に暴露し、然る後基板を金属塩水溶液と接触させ、これにより基板の未暴露領域に金属パターンを形成するガラス基板上に金属パターンを無電解法で設ける方法において、シラン層をシランの水溶液から設け、パターン化照射中に、シラン層を照射領域において基板まで除去し、然る後基板を水溶性重合体で安定化したPd ゾルと接触させ、次いで基板の非照射領域を無電解金属化浴中で金属化し、これにより金属パターンを形成することを特徴とするガラス基板上に金属パターンを無電解法で設ける方法。

IPC (6件)：

C23C 18/18 ,  C23C 18/34 ,  H05K 1/03 ,  H05K 3/18 ,  G02F 1/1335 ,  G02F 1/1343