特許

J-GLOBAL ID：200903071049008333

薄膜磁気素子

発明者： 白川 究 ,  中島 治
出願人/特許権者： 株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-041119
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249523
出願日： 1994年03月11日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、磁心を平坦に作製して、磁心の特性を劣化させることなく、かつ磁心とコイル間の浮遊容量を小さくして、磁気素子の共振周波数を高くすることである。【構成】本発明の薄膜磁気素子は、絶縁基板11上に作製された磁性膜13の少なくとも下側にコイル12を配置してなる薄膜磁気素子において、磁性膜13の下に積層された無機絶縁膜15の下面が下側コイル12の上面のみによって保持されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に作製された磁性膜の少なくとも下側にコイルを配置してなる薄膜磁気素子において、磁性膜の下に積層された無機絶縁膜の下面が下側コイルの上面のみによって保持されていることを特徴とする薄膜磁気素子。