特許

J-GLOBAL ID：200903071049252242

太陽電池

発明者： 村上 勉 ,  長谷部 明男 ,  一ノ瀬 博文 ,  横山 優子
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-107080
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318721
出願日： 1993年05月07日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、シャント等に起因する特性及び信頼性の低下を防ぎ、太陽電池特性が優れしかも信頼性の高い太陽電池を提供することを目的とする。【構成】 少なくとも一対のpin半導体接合またはpn半導体接合を有する半導体層と、該半導体層の光入射側に形成された透明な上部電極と、該上部電極上に形成されたグリッド電極とからなる太陽電池において、前記上部電極と前記グリッド電極との間に、前記グリッドよりも高抵抗なバリヤ層領域と該バリヤ領域を囲むように絶縁層領域とを設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも一対のpin半導体接合またはpn半導体接合を有する半導体層と、該半導体層の光入射側に形成された透明な上部電極と、該上部電極上に形成されたグリッド電極とからなる太陽電池において、前記上部電極と前記グリッド電極との間に、前記グリッドよりも高抵抗なバリヤ層領域と該バリヤ層領域を囲むように絶縁層領域とを設けたことを特徴とする太陽電池。