特許
J-GLOBAL ID：200903071049991665
正特性サーミスタ用積層型半導体磁器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-171682
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343202
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 正方晶系温度範囲に相当する温度領域における抵抗温度特性を実質的にフラットにする。【構成】 抵抗温度特性が異なる複数の半導体磁器層1〜6を積層することにより、積層体A0全体としての抵抗温度特性が、正方晶系温度範囲に相当する温度領域において、実質的にフラットになるようにする。半導体磁器層1〜6としては、チタン酸バリウム(BaTiO3)系半導体磁器組成物からなる半導体磁器層を用いることが好ましい。
請求項（抜粋）：
抵抗温度特性が異なる複数の半導体磁器層を積層することにより、積層体全体としての抵抗温度特性が、正方晶系温度範囲に相当する温度領域において、実質的にフラットになるようにしたことを特徴とする正特性サーミスタ用積層型半導体磁器。
IPC (2件)：
引用特許：
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