特許

J-GLOBAL ID：200903071050021424

CVD-Ti成膜チャンバーのクリーニング方法

発明者： 多田 国弘
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-101199
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289179
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】CVD-Ti成膜の際にチャンバーに付着した堆積物を有効に除去することができるCVD-Ti成膜チャンバーのクリーニング方法を提供すること。【解決手段】TiCl4 ガスを用いてCVDによりTi膜を成膜する成膜チャンバーのクリーニング方法は、チャンバー内にH2 ガスを含むガスのプラズマを励起させ、チャンバー壁に付着した堆積物をTiに変化させる工程と、その後、チャンバー内にClF3 ガスを導入する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

TiCl4 ガスを用いてCVDによりTi膜を成膜する成膜チャンバーのクリーニング方法であって、チャンバー内にH2 ガスを含むガスのプラズマを励起させ、チャンバー壁に付着した堆積物をTiに変化させる工程と、その後、チャンバー内にClF3 ガスを導入する工程と、を有することを特徴とするCVD-Ti成膜チャンバーのクリーニング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/44

FI (3件)：

H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 C ,  C23C 16/44 J