特許
J-GLOBAL ID：200903071050082890
化学元素の受容材料中への導入方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-132630
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050624
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 レーザソースを用いて電子材料に低温で選択的にドープする方法を提供する。【解決手段】 化学元素を受容材料中に導入する方法であって:前記受容材料に近接してレーザエネルギーを吸収するソース膜102を配するステップを有し、前記ソース膜102が前記化学元素を含み;前記ソース膜をレーザソース100で照射するステップを有し、前記レーザソースが前記ソース膜をアブレーションして前記受容材料の表面層を溶融し;前記ソース膜からアブレーションされる前記化学元素を前記溶融面層中に導入するステップを有し;前記表面層の電気特性を変えるステップを有する。
請求項（抜粋）：
化学元素を受容材料中に導入する方法であって、前記受容材料に近接してレーザエネルギーを吸収するソース膜を配するステップを有し、前記ソース膜が前記化学元素を含み、前記ソース膜をレーザソースで照射するステップを有し、前記レーザソースが前記ソース膜をアブレーションして前記受容材料の表面層を溶融し、前記ソース膜からアブレーションされる前記化学元素を前記溶融面層中に導入するステップを有し、前記表面層の電気特性を変えるステップを有する、化学元素の受容材料中への導入方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/22 E
, H01L 21/268 F
