特許

J-GLOBAL ID：200903071051142179

アルミニウム薄膜

発明者： 桂川 忠雄
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-087895
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259163
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 長寿命の配線用Al膜を得る。【構成】 RFスパッタ装置や真空蒸着装置を用いてSiウエハ上にTi薄膜やAu薄膜を製膜後、Al-Si(1%)-Cr(0.5%)を積層製膜して、Al膜の結晶粒径を大きくして単結晶状にして、半導体デバイスの配線用Al薄膜を大巾に長寿命化する。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの配線用アルミニウム薄膜において、下地層としてチタンのC面配向膜を用いたことを特徴とするアルミニウム薄膜。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 ,  C23C 14/16 ,  H01B 1/02 ,  H01B 5/14 ,  H01L 29/46 ,  H05K 3/38

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N