特許

J-GLOBAL ID：200903071055501009

半導体集積回路

発明者： 岡本 光弘
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-121971
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308200
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の保護回路において、通常オフ状態となるMOSトランジスタを用いた保護回路はピンチオフ現象によるサージ吸収能力の低下や、ホットエレクトロンのトラップによるリーク電流の増大等の問題があった。【解決手段】 上記の課題を解決するため、本発明は前記MOSトランジスタのドレイン端、ソース端を抵抗を介して電源線に接続し、内部回路の電源を前記ドレイン端、ソース端から供給する事により、内部回路を保護するとともに、前記MOSトランジスタのリーク電流の増大を防ぐ。

請求項（抜粋）：

通電時に通常オフ状態となるMOSトランジスタを保護回路の一部として利用するCMOS半導体集積回路に於いて、該MOSトランジスタのソース端を、一方の電源端子に接続された電源線に抵抗を介して接続し、ドレイン端を、他の一方の電源端子に接続された電源線に抵抗を介して接続し、少なくとも一部の回路部分の電源を、前記MOSトランジスタの前記ドレイン端と前記ソース端から供給する事を特徴とする半導体集積回路。

IPC (6件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03K 19/0175 ,  H03K 19/003

FI (4件)：

H03K 19/003 E ,  H01L 27/08 321 H ,  H01L 27/04 H ,  H03K 19/00 101 K

Fターム (37件)：

5F038AC05 ,  5F038AC17 ,  5F038AR01 ,  5F038AR09 ,  5F038AR30 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AA03 ,  5F048AB04 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BE04 ,  5F048CC01 ,  5F048CC04 ,  5F048CC05 ,  5F048CC06 ,  5F048CC09 ,  5F048CC15 ,  5F048CC16 ,  5J032AA02 ,  5J032AC18 ,  5J056AA01 ,  5J056BB47 ,  5J056BB48 ,  5J056BB49 ,  5J056DD13 ,  5J056DD29 ,  5J056DD55 ,  5J056EE11 ,  5J056FF08 ,  5J056JJ05 ,  5J056KK02