特許

J-GLOBAL ID：200903071057388234

集積回路

発明者： 石谷 明彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044282
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243487
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】多結晶シリコン上に酸化物高誘電体材料膜を形成すると、界面に酸化シリコン層が形成されて、実効的な誘電率が低下する。この酸化シリコン層の形成を防ぎ容量値の高いキャパシタを有する集積回路を提供する。【構成】多結晶シリコンの下部電極3の上に、熱窒化法により窒化シリコン4を形成した後、BaTiO3 膜5を形成し、更に上部電極6を設けてキャパシタを構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された多結晶シリコン膜からなる下部電極と、この下部電極上に形成された窒化シリコン膜とABO3 型(A:Sr,BaまたはLi、B:TiまたはNb、O:酸素)複合酸化物膜からなる積層型絶縁膜と、この積層型絶縁膜上に形成された上部電極とを含むことを特徴とする集積回路。