特許

J-GLOBAL ID：200903071059289527

水素ガスセンサ

発明者： 山田 雅通
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-115144
公開番号（公開出願番号）：特開2004-317449
出願日： 2003年04月21日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】水素ガス濃度の計測に対応した長期の性能信頼性が高く低コストの水素ガスセンサを提供すること。【解決手段】空洞部上に絶縁膜を介して少なくとも一対の不純物ドープ処理された多結晶ケイ素(Si)半導体薄膜を形成し、一方の多結晶ケイ素(Si)半導体薄膜は上層と下層において水素を透過しにくく且つ吸収しにくいバリア層で包含されており、他方の多結晶ケイ素(Si)半導体薄膜は上層と下層のいずれかにて上記バリア層から開放されており、上記一対の多結晶ケイ素(Si)半導体薄膜の抵抗値の差から水素ガスの濃度を計測するように構成する。【効果】低コストで水素ガス濃度の計測に対応した長期の性能信頼性が向上する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

空洞部が形成された半導体基板と、上記空洞部上に絶縁膜を介して形成された少なくとも薄膜抵抗体を有し、該薄膜抵抗体の抵抗変化から水素ガスの濃度を計測する水素ガスセンサにおいて、 上記薄膜抵抗体は、少なくとも一対の不純物ドープ処理された多結晶ケイ素 (Si)半導体薄膜であり、一方の多結晶ケイ素(Si)半導体薄膜は上層と下層において前記絶縁膜よりも水素を透過しにくく且つ吸収しにくいバリア層で包含されており、他方の多結晶ケイ素(Si)半導体薄膜は上層と下層のいずれかにて上記バリア層から開放されており、上記一対の多結晶ケイ素(Si)半導体薄膜の抵抗値の差から水素ガスの濃度を計測することを特徴とする水素ガスセンサ。

IPC (2件)：

G01N27/12 ,  G01N27/04

FI (4件)：

G01N27/12 C ,  G01N27/12 B ,  G01N27/12 D ,  G01N27/04 L

Fターム (33件)：

2G046AA05 ,  2G046BA01 ,  2G046BA07 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BD03 ,  2G046BD06 ,  2G046BE03 ,  2G046DC01 ,  2G046FE38 ,  2G060AA01 ,  2G060AB03 ,  2G060AE19 ,  2G060AF02 ,  2G060AF07 ,  2G060AG10 ,  2G060AG15 ,  2G060BA01 ,  2G060BB09 ,  2G060HA01 ,  2G060HA03 ,  2G060HB05 ,  2G060HB06 ,  2G060HC02 ,  2G060HC08 ,  2G060HC13 ,  2G060HC19 ,  2G060HC21 ,  2G060HD03 ,  2G060HE01 ,  2G060JA01 ,  2G060KA01