特許
J-GLOBAL ID：200903071060154953
固体と融液体の制御方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-106387
公開番号（公開出願番号）：特開2004-307304
出願日： 2003年04月10日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】温度及び圧力を良く管理しながら、固体GaNを十分に溶融させたり、GaN融液から大型のバルク単結晶を高速に成長させたり、あるいは、優れたp型GaN結晶を作成することが可能となる固体と融液体の制御方法を提供する。【解決手段】高圧アンヴィルセル内に、加熱用ヒーター、YAGレーザーとアンビルを用いて生成されたGaN融液あるいは固体GaNの試料を封入し、考案したGaNに対する融液-固相領域と、その境界を決定する温度-圧力相関図を用い、GaNの固体と融液体の間の相変化や、固体内の状態を制御することにより溶融GaNから、単結晶を成長させる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム(GaN)に対し、圧力P(気圧)と絶対温度T(K)で与えられる相空間において、固体と融液体の境界として、圧力Pが1〜1000気圧程度までの圧力においては、絶対温度Tを2550K程度とし、圧力Pが1000〜10000気圧程度までの圧力においては、絶対温度TをT=0.0167×P+2533K程度で与えられる曲線を採用し、また圧力Pが10000〜50000気圧程度までの圧力においては、絶対温度TをT=0.0163×P+2538K程度で与えられる曲線を採用し、さらに圧力Pが50000〜100000気圧程度までの圧力においては、絶対温度TをT=0.022×P+2250K程度で与えられる曲線を採用し、また、これらの固体と融液体の境界曲線で区切られる領域の内、高温側を融液体となる領域、また低温側を固体となる領域として採用し、これらを用いて、GaNの固体と融液体の間の相変化や、固体内の状態を制御することを特徴とする固体と融液体の制御方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/38 D
, C30B11/00 Z
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CD10
, 4G077EA01
, 4G077EA04
, 4G077EH06
, 4G077HA06
, 4G077MB14
, 4G077MB32
, 4G077MB33
