特許

J-GLOBAL ID：200903071062500077

集積回路及びその製造方法

発明者： イジック シー.キジルヤリー
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-319055
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181012
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、基板11上にゲート13,15を形成するステップと、基板11をインジウムドーパント種21にさらし、このインジウムが基板を貫通し、少なくともソース19とドレイン17の部分を形成するステップとを含む。インジウムは、低ドープドレイントランジスタの浅い部分として使用される。

請求項（抜粋）：

(A) 基板(11)上にゲート(13,15)を形成するステップと、(B) 前記基板(11)にインジウムドーパント種(21)を注入し、ソースとドレイン領域(17,19)を形成するステップとを含み、前記インジウムは前記基板(11)を貫通する、ことを特徴とする集積回路の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/265 L ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 21/265 A ,  H01L 29/78 301 L