特許

J-GLOBAL ID：200903071063860921

半導体発光素子

発明者： 松本 幸生 ,  尺田 幸男 ,  中田 俊次
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-139181
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332302
出願日： 1999年05月19日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 発光層で発光する光の波長の純度を高めると共に、結晶性をよくして発光層で発光する効率である内部量子効率を高く維持しながら外部に取り出す光の割合である外部量子効率を高くすることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 たとえば表面に発光層で発光する光の波長を透過させるフィルター層12が設けられると共に、発光波長に対して透明な材料からなる基板1と、たとえばInGaAlP系化合物半導体からなりn形層2およびp形層4が積層されて発光層を形成する発光層形成部9とがそのフィルター層12部で接着されることにより形成されている。

請求項（抜粋）：

発光層で発光する所望の波長の光に対して透明な材料からなる基板と、n形層およびp形層が積層されて発光層を形成する発光層形成部と、前記基板または前記発光層形成部のいずれか一方に積層される前記所望の波長の光を透過させるフィルター層とからなり、該フィルター層の露出面に前記基板または発光層形成部の他方が接着されてなる半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 M ,  H01L 33/00 A

Fターム (11件)：

5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA38 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77