特許

J-GLOBAL ID：200903071066573494

半導体装置の製造方法

発明者： 北田 秀樹 ,  清水 紀嘉 ,  細田 勉
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-024452
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217208
出願日： 2000年02月01日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】 光沢剤と抑止剤とを含む電解めっき液中おいて電解めっきを行うことにより微細な凹部をめっき層により充填する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記凹部においてめっき層が盛り上がるのを抑制する。【解決手段】 前記微細な凹部がめっき層により充填された時点において、電解めっき液中に通電されるめっき電流の極性を反転させる。

請求項（抜粋）：

開口を有する絶縁膜が被膜された基板を、抑制剤と促進剤とを含んだ電解めっき液中に浸漬する工程と、前記基板を一方の電極として、前記電解めっき液中に一極性の電流を通電する第1の通電工程と、前記開口が金属めっき層により実質的に充填された時点ないしそれ以降に、前記電流の極性を前記一極性から反転させ、前記電解めっき液中に反対極性の電流を通電する第2の通電工程と、前記基板を一方の電極として、前記電流の極性を前記反対極性から反転させ、前記電解めっき液中に前記一極性の電流を通電する第3の通電工程とを、順に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/288 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/288 E ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/90 A

Fターム (41件)：

4K024AB03 ,  4K024AB15 ,  4K024BB12 ,  4K024BC10 ,  4K024CA02 ,  4K024CA07 ,  4K024CA08 ,  4K024CB05 ,  4K024CB13 ,  4K024CB21 ,  4K024DB07 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104DD52 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033XX00

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法、電解めっき方法および電解めっき装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-345660   出願人：松下電子工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法、電解めっき方法および電解めっき装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-345660   出願人：松下電子工業株式会社