特許

J-GLOBAL ID：200903071066805727

不揮発性半導体記憶装置およびその駆動方法

発明者： 中村 明弘
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-098917
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294660
出願日： 1999年04月06日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】短チャネル効果を有効に抑制しながら、ソース・ドレイン不純物領域の接合リーク電流の増大を防止する。【解決手段】半導体10の表面部分にチャネル形成領域を挟んソース・ドレイン不純物領域16が形成され、チャネル形成領域上に、内部に電荷蓄積手段(フローティングゲート12)を含むゲート絶縁膜11〜13とゲート電極(フローティングゲート14)とが積層されている。フローティングゲート14の側面側に積層された半導体層10’内のソース・ドレイン不純物領域16は、半導体層の上部から下部にむけて不純物濃度が次第に低くなっている。好適には、ソース・ドレイン不純物領域16がフローティングゲート12より深くまで達し、また、サイド絶縁膜18がトンネル絶縁膜11より厚い。

請求項（抜粋）：

半導体の表面部分にチャネル形成領域を挟んで形成されたソース・ドレイン不純物領域と、当該チャネル形成領域上に設けられ内部に電荷蓄積手段を含むゲート絶縁膜と、当該ゲート絶縁膜上のゲート電極とを備えた不揮発性半導体記憶装置であって、上記チャネル形成領域の端部から上記ゲート電極の側面側に積層された半導体層を有し、上記ソース・ドレイン不純物領域は、上記半導体層に形成され、半導体層の上部から下部にむけて不純物濃度が次第に低くなる濃度プロファイルを有する不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (41件)：

5F001AA13 ,  5F001AA19 ,  5F001AA25 ,  5F001AA31 ,  5F001AA43 ,  5F001AB08 ,  5F001AD12 ,  5F001AD15 ,  5F001AD16 ,  5F001AD18 ,  5F001AD52 ,  5F001AD53 ,  5F001AF20 ,  5F001AF25 ,  5F001AG02 ,  5F001AG12 ,  5F001AG23 ,  5F001AG26 ,  5F083EP02 ,  5F083EP09 ,  5F083EP13 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP62 ,  5F083EP67 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083ER03 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER19 ,  5F083ER21 ,  5F083GA30 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083JA53 ,  5F083PR12 ,  5F083PR15 ,  5F083PR25 ,  5F083PR36 ,  5F083ZA21