特許
J-GLOBAL ID：200903071070626330
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-101682
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314686
出願日： 1993年04月28日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置及びその製造方法に関し、高集積化を阻害することなく下地へのカバレッジを良好にすることができるとともに、膜質を緻密にすることができるカバー膜を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 塗布法によって形成された無機シラザンを含有するシリコン窒化膜又はシリコン酸化窒化膜からなるカバー膜を有するように構成する。
請求項（抜粋）：
塗布法によって形成された無機シリコン窒化膜又は無機シリコン酸化窒化膜からなるカバー膜を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/318
, H01L 21/314
