特許

J-GLOBAL ID：200903071070720957

結晶成長方法

発明者： 藤原 伸介
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-004411
公開番号（公開出願番号）：特開平10-194899
出願日： 1997年01月14日
公開日（公表日）： 1998年07月28日
要約：

【要約】【課題】 種結晶の保持に際して種結晶への応力の付加を抑制し、結晶性に優れたII-VI族化合物半導体結晶の成長を可能にした結晶成長方法を提供しようとするものである。【解決手段】 昇華法又はハロゲン化学輸送法で板状種結晶上にII-VI族化合物半導体結晶を成長させるときに、前記板状種結晶の裏面にクッション材を密着させ、前記種結晶の表面の外周部を保持部材で押圧して成長室の一端に種結晶を固定する結晶成長方法である。

請求項（抜粋）：

成長室中に原料多結晶を配置し、昇華法又はハロゲン化学輸送法で板状種結晶上にII-VI族化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記板状種結晶の裏面にクッション材を密着させ、前記種結晶の表面の外周部を保持部材で押圧して成長室の一端に種結晶を固定することを特徴とするII-VI族化合物半導体結晶の成長方法。

IPC (5件)：

C30B 29/48 ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/365

FI (5件)：

C30B 29/48 ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/365