磁化膜層を有する複合デバイスとその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-130166
公開番号（公開出願番号）：特開2000-322882
出願日： 1999年05月11日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイス部の信頼性を損なうことなく磁性デバイス部と半導体デバイス部とを一体化させた複合デバイスを提供する。【解決手段】暗復号モジュール10に内蔵される複合デバイス12は、磁性デバイス部13と半導体デバイス部14を有している。基板30は、段差部30aを境として厚さが互いに異なる磁性デバイス形成部30bと、半導体デバイス形成部30cとを有している。基板30の磁性デバイス形成部30bに磁電変換層33が形成され、半導体デバイス形成部30cに半導体素子層41が形成されている。磁電変換層33は半導体素子層41よりも厚く、その高さが半導体素子層41の高さと揃うように形成されている。磁電変換層33と半導体素子層41の双方にわたって共通配線層32が積層されている。共通配線層32を挟んで磁電変換層33の反対側に磁化膜層31が設けられている。

請求項（抜粋）：

磁性デバイス部と半導体デバイス部とを有する複合デバイスであって、段差部を境として厚さが互いに異なる磁性デバイス形成部および半導体デバイス形成部を有する基板と、前記基板の前記半導体デバイス形成部に形成された半導体素子層と、前記基板の前記磁性デバイス形成部に前記半導体素子層よりも厚さが大で前記半導体素子層に応じた高さに形成された磁性デバイス要素としての磁化膜層または磁電変換層のうちいずれか一方の磁性デバイス要素と、前記一方の磁性デバイス要素と前記半導体素子層とにわたって積層された共通配線層と、前記共通配線層を挟んで前記一方の磁性デバイス要素の反対側に形成された磁化膜層または磁電変換層のうち他方の磁性デバイス要素と、を具備したことを特徴とする磁化膜層を有する複合デバイス。

IPC (6件)：

G11C 11/14 , G11C 11/14 302 , G06F 12/14 320 , H01F 10/06 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (5件)：

G11C 11/14 A , G11C 11/14 302 R , G06F 12/14 320 D , H01F 10/06 , H01L 27/04 Z

Fターム (13件)：

5B017AA07 , 5B017BA07 , 5B017BA08 , 5B017BB03 , 5B017CA11 , 5E049AA01 , 5E049AA09 , 5E049AB06 , 5E049AC01 , 5E049BA08 , 5F038AZ10 , 5F038DF04 , 5F038DF20

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