特許
J-GLOBAL ID：200903071076824886
半導体回路の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-281158
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160625
出願日： 2000年09月18日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：
【要約】【課題】 しきい値の異なる粒子が存在するTFTが形成された場合に、粒子が存在するTFTの異常動作を制限する半導体回路の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、ガラス基板上に非結晶シリコン層を成膜した後、熱処理等を行って、非結晶シリコン層を多結晶シリコン層に変換する。その際、ガラス基板内の異物の影響を受けて、多結晶シリコン層中に異常粒径の粒子が生成され、TFTにしきい値の異なる異常領域が形成されるおそれがある。この場合、異常粒径の粒子にレーザを照射して粒子を顆粒化してその周囲を高抵抗化することで、しきい値の異なる粒子が存在するTFTの異常領域の動作を制限でき、本来のTFTのオフ時にリーク電流が流れなくなり、表示特性が向上する。
請求項（抜粋）：
一主面に、チャネル領域、前記チャネル領域を挟んで配置されるソースおよびドレイン領域を含む半導体層と、前記チャネル領域とは絶縁膜を介して配置されるゲート電極と、前記ソース領域に電気的に接続されるソース電極と、前記ドレイン領域に電気的に接続されるドレイン領域と、を備えた半導体回路の製造方法において、前記半導体層の前記チャネル領域の一部領域に選択的にエネルギー線を照射することにより結晶性を変化させる工程を備えることを特徴とする半導体回路の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, G02F 1/1368
, H01L 21/336
, B23K 15/00 508
, B23K 26/00
B23K 15/00 508
, B23K 26/00 C
, H01L 29/78 612 A
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 618 Z
, H01L 29/78 624
, H01L 29/78 627 G
