特許
J-GLOBAL ID：200903071089268842
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-169744
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013315
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 III-V 化合物上にn型AlGaAsを堆積してするヘテロ接合の形成関し、炭素濃度の高いp型半導体上に炭素濃度が低いn型AlGaAsを急峻なpnヘテロ接合を有して堆積することを目的とする。【構成】 ガスソースMBE法により堆積された炭素不純物を含むp型III-V 化合物半導体2と,その上にヘテロエピタキシャルに堆積されたAlGaAs1とで形成されるpn接合を有してなる半導体装置の製造方法において,AlGaAs1を,In化合物ガスを分子線の一つとして含むガスソースMBEにより,成長表面からInが再蒸発する温度以上の温度で堆積することを特徴として構成し,及び,p型III-V 化合物半導体2は,トリメチルガリウムを原料ガスの一つとして堆積されたGaAs又はAlGaAsからなり,In化合物ガスはトリメチルインジウムからなるように構成する。
請求項（抜粋）：
ガスソースMBE(分子線エピタキシャル成長)法により堆積された炭素不純物を含むp型III-V 化合物半導体(2)と,その上にヘテロエピタキシャルに堆積されたAlGaAs(1)とで形成されるpn接合を有してなる半導体装置の製造方法において,該AlGaAs(1)を,In化合物ガスを分子線の一つとして含むガスソースMBEにより,成長表面からInが再蒸発する温度以上の温度で堆積することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/203
, H01L 29/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
