特許

J-GLOBAL ID：200903071090962736

基板熱処理装置

発明者： 村岡 祐介
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 間宮 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-170936
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012478
出願日： 1998年06月18日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 昇温中の基板に処理ガスが触れて熱衝撃により基板に欠陥が発生するのを助長したり昇温後の基板に処理ガスが触れて基板面内における温度分布が悪くなり均一な熱処理を行えなくなることを防止できる装置を提供する。【解決手段】 熱処理炉10内へ処理ガスを供給するガス供給路16に誘導加熱ガスヒータ28を介在して設けた。誘導加熱ガスヒータ28は、非磁性体材料で形成された密閉構造を有する容器30の外面にコイル32を巻装し、容器30の内部に導電性材料で形成された発熱体32を配設して構成した。

請求項（抜粋）：

ガス供給路を通して熱処理炉内へ処理ガスを供給し、熱処理炉内に収容された基板を加熱手段により加熱して、基板を熱処理する基板熱処理装置において、前記ガス供給路に介在された誘導加熱ガスヒータを備え、前記誘導加熱ガスヒータは、少なくとも一部が非磁性体材料によって形成され、ガス導入口およびガス流出口を有する密閉構造である容器と、前記容器の外面の非磁性材料によって形成された部分に巻装されたコイルと、前記容器の内部において前記コイルが巻装された部分に対応する位置に設けられ、導電性材料によって形成された発熱体とを備えたことを特徴とする基板熱処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/22 501

FI (2件)：

H01L 21/26 G ,  H01L 21/22 501 S