特許

J-GLOBAL ID：200903071100963515

半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法

発明者： 木之下 儀美 ,  神田 智幸 ,  北野 勝久 ,  吉田 和夫 ,  大西 寛 ,  山西 健一郎 ,  佐々木 茂雄 ,  古森 秀樹 ,  江島 泰蔵 ,  蔦原 晃一郎 ,  野口 利彦 ,  高浜 享 ,  草壁 嘉彦 ,  岩本 猛 ,  小坂 宣之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-197561
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244269
出願日： 1993年08月09日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 ウエハを減圧下で吸着固定できるウエハ真空チャック装置、ウエハをクリーニングガスから保護するクリーニング方法、ウエハを均一加熱、生産性を高めることができる半導体製造装置あるいは窒化膜形成方法を得る。【構成】 ウエハ吸着面に真空吸着用の溝を設け、ウエハ1を覆ってクリーニングガスを流し、ウエハ1を加熱する熱源室215と反応室2内の反応空間3とを分離する仕切り部材5を設け、この反応室2の手前に反応ガスを生成する混合室503を設けた。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを吸着固定する面に、ウエハ真空吸着用の溝をブロック状に設けたことを特徴とする半導体製造装置における真空チャック装置。

IPC (2件)：

H01L 21/68 ,  B23Q 3/08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-319965
  
• 特開昭60-127935
  
• 特開平4-061220