特許

J-GLOBAL ID：200903071102406737

半導体装置の製造方法

発明者： 大塚 俊介 ,  楠田 幸久 ,  田上 高志
出願人/特許権者： 日本板硝子株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238117
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068450
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 逆メサ段差のオーバハングを除去する方法を提供する。【解決手段】 基板面方位(100)GaAs基板20上に硫酸あるいはリン酸を主成分としたエッチング液で正方形状の凹部を形成する。ある方位の側壁部には、オーバハング21が突き出た逆メサ形状の段差部22が形成され、ある方位の側壁部には、順メサ形状の段差部24が形成される。次に、同じく硫酸あるいはリン酸を主成分としたエッチング液で全面エッチングを行い、逆メサ段差部22のオーバハング21を除去する。

請求項（抜粋）：

閃亜鉛鉱型結晶構造を有する化合物半導体の表面を部分的にウェットエッチングする工程と、前記ウェットエッチング後の表面を全面ウェットエッチングする工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 27/15 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/306 B ,  H01L 27/15 Z ,  H01L 33/00 A

Fターム (11件)：

5F041AA25 ,  5F041CA07 ,  5F041CA23 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA74 ,  5F041CB25 ,  5F043AA16 ,  5F043BB06 ,  5F043DD30 ,  5F043FF05