特許

J-GLOBAL ID：200903071106817570

n型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極及びその形成方法

発明者： 山田 孝夫 ,  妹尾 雅之 ,  板東 完治 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-008727
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221103
出願日： 1994年01月28日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子のn型層に形成する電極において、そのn型層と好ましいオーミック接触を得ると共に、電極とボールとが剥がれにくく、接着強度の大きい電極とその電極の形成方法を提供する。【構成】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層2に接する側から順に、チタンとアルミニウムとが含まれる合金か、またはチタンとアルミニウムとが積層された多層膜よりなる第一の薄膜と、その第一の薄膜の上にアルミニウムよりも高融点の金属よりなる第二の薄膜とを積層することにより、第一の薄膜成分であるAlが表面に析出して酸化されるのを防止する。

請求項（抜粋）：

n型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に形成された電極であって、少なくとも前記電極は、n型窒化ガリウム系化合物半導体層に接する側から順に、チタンとアルミニウムとが含まれる合金か、またはチタンとアルミニウムとが積層された多層膜よりなる第一の薄膜と、その第一の薄膜の上にアルミニウムよりも高融点の金属よりなる第二の薄膜とが積層されてなることを特徴とするn型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 21/92 D ,  H01L 21/92 F