特許

J-GLOBAL ID：200903071107969578

半導体装置とその製造方法

発明者： 吉良 秀彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210825
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044336
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップのフリップチップ実装構造に関し、実装エリアを小さく維持すると共に半導体チップが封止用樹脂で完全に被覆される半導体装置を得ることを目的とする。【解決手段】 半導体チップ6の上面が高粘度樹脂12を用いて封止されており、高粘度樹脂12の上と、半導体チップ6の側面とが高粘度樹脂12より粘度の低い低粘度樹脂13を用いて封止されるように構成する。

請求項（抜粋）：

基板に搭載された半導体チップの上面が高粘度樹脂で封止されており、該高粘度樹脂の上と、該半導体チップの側面とが該高粘度樹脂より粘度の低い低粘度樹脂で封止されている半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31

Fターム (8件)：

4M109AA02 ,  4M109BA05 ,  4M109CA05 ,  4M109CA12 ,  4M109CA22 ,  4M109EA02 ,  4M109EE02 ,  4M109GA10