特許

J-GLOBAL ID：200903071109038121

半導体製造装置及びそのウェーハカセット棚

発明者： 柿崎 智 ,  狩野 利一 ,  泉 昭一郎 ,  小泉 幹夫 ,  保坂 英二 ,  渡辺 誠治 ,  福田 重夫
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-308177
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267432
出願日： 1992年10月22日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体製造装置に於いて半導体素子の品質、歩留まりの向上を図る。【構成】ウェーハを収納するウェーハカセットを搭載するカセットストッカ5と、加熱手段を備えた反応炉2と、反応炉に反応ガスを導入する反応ガス導入手段と、反応炉内の排気ガスを排気するガス排気手段と、ウェーハを支持するボートと、未処理ウェーハを保管するバッファカセットストッカ21と、ボートを反応炉に装入・引出すボート昇降手段3と、ボートとカセットストッカに搭載したウェーハカセットの間でウェーハの移載を行うウェーハ移載手段4と、バッファカセットストッカとカセットストッカの間でウェーハカセットを移載するウェーハカセット移載手段と、バッファカセットストッカを収納し開閉自在な蓋49を有し、蓋が閉じた場合には酸化防止領域が形成され、該酸化防止手段の内部を酸化防止ガスで置換し、ウェーハ表面に自然酸化膜が形成されるのを防止する。

請求項（抜粋）：

ウェーハを収納するウェーハカセットを搭載するカセットストッカと、加熱手段を備えた反応炉と、反応炉に反応ガスを導入する反応ガス導入手段と、反応炉内の排気ガスを排気するガス排気手段と、ウェーハを支持するボートと、未処理ウェーハを保管するバッファカセットストッカと、ボートを反応炉に装入・引出すボート昇降手段と、ボートとカセットストッカに搭載したウェーハカセットの間でウェーハの移載を行うウェーハ移載手段と、バッファカセットストッカとカセットストッカの間でウェーハカセットを移載するウェーハカセット移載手段と、バッファカセットストッカを収納し開閉自在な蓋を有し、蓋が閉じた場合には酸化防止領域が形成され、バッファカセットストッカを大気から遮断する酸化防止手段を備えたことを特徴をとする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  B65G 1/06 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (1件)

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  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-221113   出願人：日立プラント建設株式会社