特許

J-GLOBAL ID：200903071113306050

シリカエアロゲル薄膜の製法

発明者： 横川 弘 ,  横山 勝 ,  ▲高▼濱 孝一 ,  園田 健二
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-319857
公開番号（公開出願番号）：特開2001-139321
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2001年05月22日
要約：

【要約】【課題】 白化や収縮、クラックが発生することなく、シリカエアロゲルの薄膜を得る。【解決手段】 アルコキシシランと、このアルコキシシランの加水分解重合反応触媒と、水を含有して調製されるアルコキシシラン溶液を基板の表面にコーティングした後、アルコキシシランを加水分解重合反応させて薄膜状のゲル状化合物を形成する。次にこのゲル状化合物を水及びアルコキシシランの加水分解重合反応触媒を含有する養生溶液に浸漬して養生する。この後にゲル状化合物を超臨界乾燥する。養生の際にゲル状化合物が乾燥することを防ぐことができると共に、ゲル状化合物中の加水分解重合反応触媒が拡散されることを防ぐことができ、ゲル状化合物の膜に白化や収縮、クラックが発生することを防止できる。

請求項（抜粋）：

アルコキシシランと、このアルコキシシランの加水分解重合反応触媒と、水を含有して調製されたアルコキシシラン溶液を基板の表面にコーティングした後、アルコキシシランを加水分解重合反応させて薄膜状のゲル状化合物を形成し、次にこのゲル状化合物を水及びアルコキシシランの加水分解重合反応触媒を含有する養生溶液に浸漬して養生し、この後にゲル状化合物を超臨界乾燥することを特徴とするシリカエアロゲル薄膜の製法。

IPC (3件)：

C01B 33/159 ,  B01J 19/00 ,  C01B 33/158

FI (3件)：

C01B 33/159 ,  B01J 19/00 K ,  C01B 33/158

Fターム (31件)：

4G072AA28 ,  4G072BB09 ,  4G072CC08 ,  4G072FF00 ,  4G072FF01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH29 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ11 ,  4G072JJ38 ,  4G072KK03 ,  4G072LL06 ,  4G072LL11 ,  4G072LL14 ,  4G072MM01 ,  4G072MM31 ,  4G072NN21 ,  4G072PP05 ,  4G072PP06 ,  4G072RR05 ,  4G072RR12 ,  4G072UU30 ,  4G075AA24 ,  4G075AA62 ,  4G075AA63 ,  4G075BA05 ,  4G075BB02 ,  4G075BD16 ,  4G075BD26 ,  4G075CA57 ,  4G075CA61