特許

J-GLOBAL ID：200903071113972220

エピタキシャル成長装置および半導体装置の製造方法

発明者： 松尾 哲二 ,  尺田 幸男 ,  千田 和彦
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317149
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135586
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】N型半導体層へのP型不純物の混入およびP型半導体層へのN型不純物の混入を防止すること。【解決手段】このエピタキシャル成長装置は、いわゆるスライドボート型の装置であり、ほぼ水平な方向にスライド可能なスライドボート1と、このスライドボート1の移動経路に沿って並べて配置されたN型半導体成長用るつぼ2およびP型半導体成長用るつぼ3とを備えている。N型半導体成長用るつぼ2は、たとえば二酸化シリコンで構成されており、P型半導体成長用るつぼ3は、たとえばグラファイトで構成されている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の不純物を含む溶融半導体材料を収容するための第1材料容器と、第1導電型とは異なる第2導電型の不純物を含む溶融半導体材料を収容するための第2材料容器とを備え、半導体基板の表面に、上記第1材料容器内の溶融半導体材料を接触させて第1導電型の半導体層をエピタキシャル成長させた後に、上記第2材料容器内の溶融半導体材料を接触させて第2導電型の半導体層をエピタキシャル成長させる装置であって、少なくとも上記第1材料容器の表面は、第2導電型の不純物となり得る元素を含まない材料で構成され、少なくとも上記第2材料容器の表面は、第1導電型の不純物となり得る元素を含まない材料で構成されていることを特徴とするエピタキシャル成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/208 ,  C30B 19/06 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/208 S ,  C30B 19/06 S ,  H01L 33/00 B

Fターム (31件)：

4G077AA03 ,  4G077BE43 ,  4G077CG01 ,  4G077EB06 ,  4G077EG02 ,  4G077EG06 ,  4G077QA02 ,  4G077QA52 ,  5F041AA40 ,  5F041CA37 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA63 ,  5F053AA01 ,  5F053BB03 ,  5F053BB04 ,  5F053BB13 ,  5F053BB15 ,  5F053BB26 ,  5F053BB42 ,  5F053DD07 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053KK01 ,  5F053KK07 ,  5F053LL02 ,  5F053RR20