特許

J-GLOBAL ID：200903071115037986

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 角野 潤
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-163738
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353757
出願日： 1999年06月10日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 耐湿性を向上させるとともに、最上層保護膜のシリコン窒化膜から放出されたH+によってデータが破壊されるのを防止できる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 フローティングゲート電極4とコントロールゲート電極6とを有するメモリセルMC上にパッシベーション膜としてシリコン窒化膜24が形成されている。このシリコン窒化膜24から生じた水素がフローティングゲート電極4へ拡散するのを防止するため、シリコン窒化膜24とフローティングゲート電極4との間に、p-SiO2膜8、9、11、15、17、19、21が形成されている。

請求項（抜粋）：

データを電気的に消去および書込可能な不揮発性半導体記憶装置であって、電荷蓄積電極層と前記電荷蓄積電極層上に形成された制御電極層とを有するメモリセルと、前記メモリセル上に形成された、保護層としてのシリコン窒化膜と、前記シリコン窒化膜から生じた水素が前記電荷蓄積電極層側へ拡散するのを防止するために、前記シリコン窒化膜と前記電荷蓄積電極層との間に、プラズマを用いた化学気相成長法で形成されたシリコン酸化膜とを備えた、不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (37件)：

5F001AA01 ,  5F001AA25 ,  5F001AB08 ,  5F001AC02 ,  5F001AC06 ,  5F001AD17 ,  5F001AD90 ,  5F001AD94 ,  5F001AE02 ,  5F001AE03 ,  5F001AE08 ,  5F001AE40 ,  5F001AF06 ,  5F001AG03 ,  5F001AG21 ,  5F001AG40 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083ER02 ,  5F083ER05 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER16 ,  5F083ER21 ,  5F083ER22 ,  5F083GA25 ,  5F083GA30 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA08 ,  5F083PR21