特許
J-GLOBAL ID：200903071115775227
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-289595
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135380
出願日： 1996年10月31日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】小型・高密度のパワー半導体装置を低価格で提供する。【解決手段】リードフレーム上に形成した半導体素子を含む回路部と、熱放散のためのベース基板とをメタライズしたセラミック基板によって、電気的に絶縁し、該メタライズ層の熱膨張係数を特定する。【効果】高信頼性を確保しつつ、熱抵抗が低減される。従って、パワー半導体装置の小型化,高密度化が可能になる。
請求項（抜粋）：
導体回路上に発熱性半導体素子が固着され、電気絶縁性外装モールドによって保護された構造を有する半導体装置において、該半導体素子がリードフレーム上に固着され、該リードフレームは電気絶縁層としての、少なくとも片面が半田接合可能に表面処理されたセラミック板を挟持してベース基板が配置され、かつ該ベース基板裏面の少なくとも一部が、実質的に外部に露出した形で、これら一連の回路が外装樹脂モールドによって一体的に構成され、該リードフレームの一部が外部回路と接続するためのリード端子として該樹脂モールドの表面に露出もしくは突出した構造を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/34 A
, H01L 23/28 B
