特許
J-GLOBAL ID：200903071117491692
インダクタンス素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大田 優
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-362335
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176685
出願日： 1997年12月12日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 フェライトコアの磁性体の特性を維持して、高いインダクタンスやQの得られるインダクタンス素子を提供する。【解決手段】 円柱または角柱のフェライトコアの側面に導体膜を形成し、この導体膜をレーザで切削して螺旋状の導体パターンを形成する。導体膜12とフェライトコア10の間にはガラス層11を形成しておき、レーザで切削するときに導体膜とガラス層の表面のみが切削されるようにする。フェライトコアの磁性体は直接レーザを照射されることがないので変質せず、磁性体の特性を維持できる。
請求項（抜粋）：
角柱または円柱形のフェライトコアの側面に導体膜を形成し、その導体膜の一部をレーザー加工によって切削してフェライトコアの周囲に螺旋状の導体パターンを形成するインダクタンス素子の製造方法において、螺旋状の導体パターンを形成する部分のフェライトコアの表面にガラス層を形成し、ガラス層上に導体膜を形成し、レーザー加工によって導体膜の一部を切削して、フェライトコアの周囲に螺旋状の導体パターンを形成することを特徴とするインダクタンス素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01F 41/04 E
, H01F 17/00 G
